一种基于硅酸钙基底的气体传感器芯片结构及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010414092.3
IPC分类号：B81C1/00;B81B7/02;G01N27/12
申请日期：
2020-05-15
申请人：
西安交通大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种基于硅酸钙基底的气体传感器芯片结构及制备方法
申请号	CN202010414092.3	申请日期	2020-05-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-22	公开/公告号	CN111689459A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;G;0;1;N;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	王海容;田鑫;雷伟涛;王久洪;吴欣雨;金成;赵玉龙
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	姚咏华

摘要

本发明公开了一种基于硅酸钙基底的气体传感器芯片结构及制备方法，以硅酸钙材料作为基底，将加热丝溅射其上，使其中心与硅酸钙基底重合，呈三阶双曲螺旋形，然后将测温电阻、敏感材料和测试电极依次溅射到硅酸钙基底材料上。加热丝通电后，由于硅酸钙具有极低的导热系数，极大地溅射了热量通过热传导方式散失，使用更小的电压即可将气敏材料加热到指定的工作温度。本发明结构简单，在保持低功耗特性的同时极大地降低了制造工艺的复杂度，无需对基底背面进行加工，提高了成品率，局部高温，外围近于常温，易于封装。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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