存储器及用于在存储器中软故障检测的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03814088.8
IPC分类号：G11C29/00
申请日期：
2003-05-07
申请人：
飞思卡尔半导体公司

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著录项信息

专利名称	存储器及用于在存储器中软故障检测的方法
申请号	CN03814088.8	申请日期	2003-05-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-08-31	公开/公告号	CN1662997
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;0;0查看分类表>
申请人	飞思卡尔半导体公司	申请人地址	美国得克萨斯变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	飞思卡尔半导体公司	当前权利人	飞思卡尔半导体公司
发明人	托马斯·W·利斯顿;劳伦斯·N·赫尔
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	黄启行;谢丽娜

摘要

公开了一种用于SRAM的软故障检测的方法。存储器包括多个存储器单元，形成存储器阵列，存储器单元的每一个连接至一条位线、互补位线和字线。存储器单元的每一个包括多个晶体管。该方法包括以下步骤：写存储器阵列；通过将它们充电至预定电压来调整多个位线和互补位线，该电压具有不改变完全功能存储器单元的位状态的值；激活预定字线，用于选择一行存储器单元；读选择的存储器单元；将读的结果与写到存储器单元的位值进行比较，以确定是否更改了任何存储器单元位状态；以及识别更改的存储器单元作为测试故障。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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