CMOS工艺中的同轴互连线的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00804383.3
IPC分类号：H01L21/768;H01L23/522;H01L21/60
申请日期：
2000-09-12
申请人：
皇家菲利浦电子有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	CMOS工艺中的同轴互连线的制作方法
申请号	CN00804383.3	申请日期	2000-09-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-03-27	公开/公告号	CN1342331
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	皇家菲利浦电子有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	NXP股份有限公司	当前权利人	NXP股份有限公司
发明人	S·波斯拉;C·T·加布里尔;M·米舍洛夫;M·维林
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	陈霁;梁永

摘要

提供了一种半导体芯片上制造有集成的CMOS电路和RF电路的半导体器件及其制造方法。此方法包括制作下金属化层以及下金属化层上的下介电层。在下介电层上制作金属化线，以上介电层在金属化线上。然后在上介电层上制作上金属化层。在完成这一步骤之后，沿下介电层、金属化线和上介电层的侧面，制作氧化物间隔。最后，在氧化物间隔上制作包封金属化层，使下金属化层、上金属化层和包封金属化层确定RF线的外屏蔽层，而金属化线确定RF线的内导体。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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