基于碳纳米管-电极结构的温度传感器芯片

发明专利无效专利

申请号：
CN200910248670.4
IPC分类号：G01K7/00
申请日期：
2009-12-23
申请人：
中国科学院沈阳自动化研究所

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著录项信息

专利名称	基于碳纳米管-电极结构的温度传感器芯片
申请号	CN200910248670.4	申请日期	2009-12-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-29	公开/公告号	CN102109386A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01K7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01K 温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件（辐射高温测定法入G01J 5/00） G01K7/00 以利用直接对热敏感的电或磁性元件为基础的温度测量（给出除温度瞬时值之外其他结果的入G01K 3/00）	IPC分类号	G;0;1;K;7;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院沈阳自动化研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市东陵区南塔街114号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院沈阳自动化研究所	当前权利人	中国科学院沈阳自动化研究所
发明人	董再励;于海波;王越超;田孝军;曲艳丽;李文荣
代理机构	沈阳科苑专利商标代理有限公司	代理人	俞鲁江

摘要

本发明公开一种基于碳纳米管-电极结构的温度传感器芯片，包括基底、碳纳米管、电极，所述电极成对设置在基底上，所述碳纳米管与所述的一对电极间电连接。碳纳米管具有良好的导热性，并且金属性碳纳米管的电阻率会随温度的变化而发生改变。利用碳纳米管电阻率随温度变化的性质，本专利提出了一种能够利用碳纳米管-电极作为温度传感单元的具有低能耗、高灵敏度的传感器芯片结构，该传感器芯片在2mm×2mm的区域内集成了8个独立温度传感单元。所述温度传感器芯片结构，可以利用介电泳技术实现碳纳米管在微电极阵列上的装配，形成碳纳米管-金属电极的温度传感单元，并最终形成碳纳米管温度传感器。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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