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阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510424976.6
  • IPC分类号:H01L21/77;H01L21/336
  • 申请日期:
    2015-07-17
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
著录项信息
专利名称阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
申请号CN201510424976.6申请日期2015-07-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-11-18公开/公告号CN105070684A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/77IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司
发明人刘正;郭总杰;陈曦;张小祥;张治超;刘明悬
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人柴亮;张天舒
摘要
本发明提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的阵列基板在制备时出现漏极下方出现悬空的问题。本发明的阵列基板的制备方法包括:形成像素电极的图形,薄膜晶体管的栅极的图形;形成栅极绝缘层;通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层,以及形成在有源层上的源极和漏极的图形;形成钝化层,并通过构图工艺形成包括贯穿栅极绝缘层和/或钝化层的主过孔的图形;同时还形成包括位于漏极的部分区域下方的主过孔延伸部的图形;主过孔与主过孔延伸部贯通;去除与过孔延伸部位置对应的漏极金属,形成包括过孔的图形;形成包括连接电极和公共电极的图形;其中,连接电极通过过孔将漏极与像素电极电性连接。

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