消影增透透明导电薄膜

发明专利有效专利

申请号：
CN201510255236.4
IPC分类号：G06F3/044
申请日期：
2015-05-19
申请人：
蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建筑材料科学研究总院

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著录项信息

专利名称	消影增透透明导电薄膜
申请号	CN201510255236.4	申请日期	2015-05-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-08-12	公开/公告号	CN104834424A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F3/044 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F3/00 用于将所要处理的数据转变成为计算机能够处理的形式的输入装置；用于将数据从处理机传送到输出设备的输出装置，例如，接口装置〔4〕 G06F3/01 用于用户和计算机之间交互的输入装置或输入和输出组合装置（G06F 3/16优先）〔8〕 G06F3/03 将部件的位置或位移转换成为代码形式的装置〔3，8〕 G06F3/041 以转换方式为特点的数字转换器，例如，触摸屏或触摸垫，特点在于转换方法〔8〕 G06F3/044 通过用电容性方式〔8〕	IPC分类号	G;0;6;F;3;/;0;4;4查看分类表>
申请人	蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建筑材料科学研究总院	申请人地址	安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	蚌埠玻璃工业设计研究院,中国建筑材料科学研究总院	当前权利人	蚌埠玻璃工业设计研究院,中国建筑材料科学研究总院
发明人	孟政;刘静;汪洪
代理机构	安徽省蚌埠博源专利商标事务所	代理人	杨晋弘

摘要

本发明公开消影增透透明导电薄膜，包括基板，基板的顶面依次往上设有上氮氧化硅膜层与上SiO2膜层，上氮氧化硅膜层与上SiO2膜层构成一组上复合膜层，基板顶面至少设置一组上复合膜层；基板的底面依次往下设有下氮氧化硅膜层与下SiO2膜层，下氮氧化硅膜层与下SiO2膜层构成一组下复合膜层，基板底面至少设置一组下复合膜层；上复合膜层和/或下复合膜层的外膜面设有ITO层；所述氮氧化硅的分子式为SiNxOy，其中x、y分别为氮、氧的摩尔数，1≤x≤4/3,0≤y≤1/3,x/y≥3；氮氧化硅膜层与SiO2膜层通过光学干涉相消原理使得ITO层受蚀刻与未受蚀刻区域在D65光源条件下色值相近，且均呈中性，降低膜层厚度对膜系颜色变化的影响，使得消影效果更容易控制，并降低了生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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