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辐射探测器

发明专利无效专利

申请号：
CN03127856.6
IPC分类号：H01L31/00;H01L27/14;G01J1/02;G01T1/00;A61B6/00
申请日期：
2003-08-12
申请人：
株式会社岛津制作所

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	辐射探测器
申请号	CN03127856.6	申请日期	2003-08-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-03-24	公开/公告号	CN1484321
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;G;0;1;J;1;/;0;2;;;G;0;1;T;1;/;0;0;;;A;6;1;B;6;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社岛津制作所	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社岛津制作所	当前权利人	株式会社岛津制作所
发明人	佐藤贤治;佐藤敏幸
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	龚海军

摘要

一种用于探测入射辐射的空间分布的辐射探测器，包括：一个辐射敏感的半导体；在半导体的一个表面上形成的公共电极，用于接纳偏置电压；在半导体的另一个表面上形成的多个分段式电极，用于输出在半导体内由入射辐射产生的电荷，作为电信号；和，一个光照射机构，用于至少在辐射探测期间发射光。

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