一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210533530.3
IPC分类号：B81C1/00;G01L1/18
申请日期：
2012-12-11
申请人：
北京大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法
申请号	CN201210533530.3	申请日期	2012-12-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-20	公开/公告号	CN102976263A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;G;0;1;L;1;/;1;8查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	张威;周浩楠;戴啸宁;沈唯真;苏卫国;李宋;陈广忠
代理机构	北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张肖琪

摘要

本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法，在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻，在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻，从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器，在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力，提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性；是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器，在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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