一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201510834660.4
IPC分类号：C30B17/00;C30B29/20;C30B29/28
申请日期：
2015-11-26
申请人：
中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司;中国科学院国有资产经营有限责任公司

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专利名称	一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用
申请号	CN201510834660.4	申请日期	2015-11-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-06	公开/公告号	CN106801251A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B17/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B17/00 生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法（C30B 15/00优先）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;7;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;2;0;;;C;3;0;B;2;9;/;2;8查看分类表>
申请人	中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司;中国科学院国有资产经营有限责任公司	申请人地址	辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司,中国科学院控股有限公司	当前权利人	中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司,中国科学院控股有限公司
发明人	郑伟;张学锋;杨海成;庞运伟;佟辉
代理机构	沈阳科苑专利商标代理有限公司	代理人	许宗富;周秀梅

摘要

本发明公开了一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用，属于晶体生长制备技术领域。该工艺是在晶体等径后期的收尾阶段，降低底部的粘锅程度，以及判断晶体生长完毕后，晶体脱埚的工艺。本发明的优点在于：脱埚成功率可达80％以上；可有效解决晶体生长后期底部大面积粘埚现象，使晶体与坩埚壁分离，处于悬空状态，晶体直径一致性好，明显减小或消除晶体热应力，大幅降低晶体开裂的几率，提高晶体成品率和良率，并可有效缩短生长周期，有利于降低生产成本。

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