晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201810086093.2
IPC分类号：H01L23/488;H01L21/60;H01L25/18;H01L27/146
申请日期：
2018-01-30
申请人：
德淮半导体有限公司

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专利名称	晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置
申请号	CN201810086093.2	申请日期	2018-01-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-17	公开/公告号	CN108288609A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;5;/;1;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	德淮半导体有限公司	申请人地址	江苏省淮安市淮阴区长江东路599号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德淮半导体有限公司	当前权利人	德淮半导体有限公司
发明人	穆钰平;陈世杰;金子贵昭;黄晓橹
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	欧阳帆

摘要

本公开涉及晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置。提供有一种晶片堆叠结构，包括：第一晶片，包括：具有金属垫盘结构的第一衬底和第一绝缘层及其中的导电层，第一绝缘层具有露出第一晶片中的导电层的部分的一个或多个开口；第二晶片，包括：第二衬底，第二绝缘层及其中的导电层以及包括与第二晶片中的导电层电连接的一个或多个导电凸块的接合部，导电凸块被配置为与露出的第一晶片中的导电层的部分键合；第三晶片，通过接合层与第一晶片接合，包括：第三衬底和第三绝缘层及其中的导电层；以及穿透第三晶片和接合层直至金属垫盘的TSV，该TSV穿透第三晶片中的导电层并与之电连接，从而提供金属垫盘和第三晶片中的导电层之间的电连接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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