一种基于接地共面波导结构抑制缺陷地非理想谐振的模型

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202222444769.5
IPC分类号：H01P3/10
申请日期：
2022-09-15
申请人：
湖北大学;湖北江城实验室

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于接地共面波导结构抑制缺陷地非理想谐振的模型
申请号	CN202222444769.5	申请日期	2022-09-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P3/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P3/00 波导；波导型传输线 H01P3/10 线波导，即有单根纵向固体导体的	IPC分类号	H;0;1;P;3;/;1;0查看分类表>
申请人	湖北大学;湖北江城实验室	申请人地址	湖北省武汉市武昌区友谊大道368号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖北大学,湖北江城实验室	当前权利人	湖北大学,湖北江城实验室
发明人	饶毅恒;韩旭;成炳麟;王浩;任朝阳;马国坤;万厚钊
代理机构	石家庄科诚专利事务所（普通合伙）	代理人	左燕生;刘丽丽

摘要

本实用新型属于微波、毫米波频段无源电路设计领域，公开了一种基于接地共面波导结构抑制缺陷地非理想谐振的模型，包括介质层、上参考地平面、下参考地平面，信号线位于介质层上表面的中心，上参考地平面包括两个顶层金属接地板，两个顶层金属接地板分别位于信号线的两侧，与信号线之间留有缝隙，两个顶层金属接地板靠近信号线的一边均刻蚀有上缺陷地结构，下参考地平面与上参考地平面上的上缺陷地结构相对应的位置刻蚀有下缺陷地结构，两个顶层金属接地板靠近信号线的一边设置有第一通孔，第一通孔贯穿上参考地平面、介质层和下参考地平面。本实用新型避免了引入非理想高阶模响应。本实用新型适用于接地共面波导中抑制缺陷地非理想谐振。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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