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感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910049960.6
  • IPC分类号:H01L21/683;H01L21/66;H05F3/00
  • 申请日期:
    2009-04-24
  • 申请人:
    中微半导体设备(上海)有限公司
著录项信息
专利名称感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
申请号CN200910049960.6申请日期2009-04-24
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-10-27公开/公告号CN101872733A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/683IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;5;F;3;/;0;0查看分类表>
申请人中微半导体设备(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司当前权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司
发明人倪图强;陈金元;王晔;杜若昕;欧阳亮
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁
摘要
本发明涉及一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的系统和方法。移除残余电荷会减少/防止去夹持的失败,从而防止半导体工艺件被破碎或被损坏。对嵌入于静电夹盘内的电极施加反向放电直流电压,并通过升降顶针组件来提供一个残余电荷接地的出口,而使残余电荷被移除。升降顶针组件被保持与静电夹盘的基座具有相同的电势,来防止在施加射频功率来产生等离子体时产生电火花。一残余电荷感测器被用来感测和测量残余电荷的数量,因此,在下一次的去夹持操作过程中,反向放电电压的参数可以被调整。

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