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一种键合晶圆的结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711030930.1
  • IPC分类号:H01L21/20
  • 申请日期:
    2017-10-30
  • 申请人:
    桂林电子科技大学
著录项信息
专利名称一种键合晶圆的结构及其制备方法
申请号CN201711030930.1申请日期2017-10-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-02-27公开/公告号CN107742606A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人桂林电子科技大学申请人地址
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桂林电子科技大学当前权利人桂林电子科技大学
发明人李海鸥;吴磊;刘洪刚;李琦;陈永和;张法碧;高喜;肖功利;首照宇;傅涛;翟江辉
代理机构北京中济纬天专利代理有限公司代理人石燕妮
摘要
本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法,主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al,在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影,刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构,该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层,以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行,使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案,该键合晶圆的结构及其制备方法,实现了晶圆之间空隙小、键合强度高,以及基于SOI结构制造的器件散热性好;能够用于晶圆的低温键合。

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