半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01814948.0
IPC分类号：--
申请日期：
2001-06-29
申请人：
株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN01814948.0	申请日期	2001-06-29
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-10-15	公开/公告号	CN1449585
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立制作所,日立超大规模集成电路系统株式会社	当前权利人	株式会社日立制作所,日立超大规模集成电路系统株式会社
发明人	清水昭博;大木长斗司;野中裕介;一濑胜彦
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	黄剑锋

摘要

本发明提供一种半导体器件，具有在半导体基板的一主面的第1区域构成了沟道形成区域的n沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第1区域不同的第2区域构成了沟道形成区域的p沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力、与在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力相互不同。在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是拉伸应力，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是压缩应力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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