磷掺杂硅单晶

发明专利有效专利

申请号：
CN201780010459.1
IPC分类号：C30B29/06;C30B31/08;C30B31/20;H01L21/261
申请日期：
2017-02-08
申请人：
TOPSIL环球晶圆股份公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	磷掺杂硅单晶
申请号	CN201780010459.1	申请日期	2017-02-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-23	公开/公告号	CN108699724A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;3;1;/;0;8;;;C;3;0;B;3;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;1查看分类表>
申请人	TOPSIL环球晶圆股份公司	申请人地址	丹麦腓特烈松变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TOPSIL环球晶圆股份公司	当前权利人	TOPSIL环球晶圆股份公司
发明人	泰斯·莱斯·斯维加德;马丁·格莱斯瓦恩吉;克里斯蒂安·伽米洛夫特·辛德里森;苏尼·布·杜恩;安德斯·雷
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李博

摘要

本发明涉及直径至少为175mm且轴向长度在50mm至1000mm范围内的磷掺杂硅单晶，所述磷掺杂硅单晶在横向平面中具有的掺杂剂原子密度为从磷掺杂硅锭切割的晶片提供了5Ωcm至2000Ωcm范围内的目标电阻率(ρNTD)，其中，当在800℃至1300℃范围内的温度下将硅退火之后测量电阻率时，对于至少75％的从磷掺杂硅单晶切割的晶片，获得3％或更小的根据SEMI标准SEMIMF81测定的RRV值，本发明涉及从所述磷掺杂硅单晶切割的晶片或多个晶片，以及涉及制造磷掺杂硅单晶的方法。本发明的产品特别适用于高功率电子器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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