静态随机存取存储器装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200710141048.4
IPC分类号：G11C11/413
申请日期：
2007-08-16
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	静态随机存取存储器装置
申请号	CN200710141048.4	申请日期	2007-08-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-12	公开/公告号	CN101140798
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/413 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	林子贵;廖忠志;赖逢时;李嘉富
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	陈晨

摘要

本发明提供一种静态随机存取存储器装置。该静态随机存取存储器(SRAM)装置包含至少一存储器单元，具有一源极线以接收一内部供应电源；以及一电压管理电路，耦接至该源极线以产生该内部供应电源，依照该存储器单元各种不同的运作模式将该内部供应电源改变为至少两种不同的电压电平。本发明所提出的实施例在不同运作模式下供应不同的电压；当SRAM在一正常或读取模式下，该电压管理电路以永远高于SRAM周边电源供应电压的一电压供应给该SRAM核阵列；一较高电压使得写入运作(不管故意的或是意外的)较难进行，因而增加静态噪声容限；如此一来，增加了SRAM单元在写入运作时的稳定度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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