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自对准硅化物膜的蚀刻方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910188532.1
  • IPC分类号:H01L21/311;H01L21/3105
  • 申请日期:
    2009-12-01
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
著录项信息
专利名称自对准硅化物膜的蚀刻方法
申请号CN200910188532.1申请日期2009-12-01
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-06-01公开/公告号CN102082090A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/311
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人许宗能;蒋昆坤;任小兵;王吉伟
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人何平
摘要
本发明涉及一种自对准硅化物膜的蚀刻方法,包括:用氧化物蚀刻腔产生经过辉光放电生成的氧气等离子体,对富硅氧化物层进行轰击,来完成反应离子蚀刻,同时清除光刻胶浮渣;用氢氟酸溶液进行湿法蚀刻。上述自对准硅化物膜的蚀刻方法省去了清除浮渣这一步骤,减少了一步工序,降低了生产成本、提高了生产效率。使用氧气作为干法蚀刻的气体,能很好地保护晶圆片有源区;此外因为氧气的成本比传统工艺采用的CF4/CHF3要低,还能降低生产成本。同时由于氧干法蚀刻步骤能一步将富硅氧化物层蚀刻完全,缩短了湿法蚀刻的时间,提高了生产效率;且采用稀氢氟酸溶液的短时间湿法蚀刻不会引起明显钻蚀,提高了产品的稳定性和可靠性。

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