高密度多芯片模块

实用新型专利无效专利

申请号：
CN02294473.7
IPC分类号：--
申请日期：
2002-12-31
申请人：
威盛电子股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高密度多芯片模块
申请号	CN02294473.7	申请日期	2002-12-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	威盛电子股份有限公司	申请人地址	台湾省台北县新店市中正路533号8楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	威盛电子股份有限公司	当前权利人	威盛电子股份有限公司
发明人	何昆耀;宫振越
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	文琦;陈肖梅

摘要

本实用新型涉及一种高密度多芯片模块(Multi Chip Module；MCM)。这种高密度多芯片模块首先在一集成电路底材上依序形成一绝缘层及多层内联线层，其中多层内联线层的第一表面设有多数个第一焊垫、第二表面设有多数个第二焊垫。接着，利用研磨制程以减少集成电路底材的厚度，接下来再进行蚀刻制程依序贯穿集成电路底材及绝缘层，以于其内形成多数个导通孔，其中任一导通孔的底部均露出第二焊垫。接下来在多数个导通孔内填入金属以形成导通插塞，并在任一导通插塞的表面上形成第三焊垫。最后，可将至少一芯片电性连接至此第三焊垫，并针对任一芯片与第三焊垫接触处进行一覆晶接合构装制程，即可完成本实用新型的高密度多芯片模块。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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