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半导体装置及便携式设备

发明专利有效专利

申请号：
CN200810109212.8
IPC分类号：H01L25/00;H01L25/065;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/488
申请日期：
2008-01-31
申请人：
三洋电机株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及便携式设备
申请号	CN200810109212.8	申请日期	2008-01-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-10-15	公开/公告号	CN101286507
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社	当前权利人	三洋电机株式会社
发明人	大塚健志;今冈俊一
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

一种半导体装置，具备：布线基板、安装在布线基板上的第一半导体元件、层积在第一半导体元件上且突出部从第一半导体元件的外缘突出的第二半导体元件、以及密封各半导体元件的密封树脂层。而且，第二半导体元件在其上面具有第一模拟单元和相比该第一模拟单元更容易在高温下发热的第二模拟单元，该第二模拟单元配置为含有突出部。

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