化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiCf/SiC复合材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910043471.X
IPC分类号：C04B35/565;C04B35/622
申请日期：
2009-05-20
申请人：
中国人民解放军国防科学技术大学

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专利名称	化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiCf/SiC复合材料的方法
申请号	CN200910043471.X	申请日期	2009-05-20
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-10-14	公开/公告号	CN101555139
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/565 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/515 以非氧化物为基料的（C04B 35/50、C04B 35/51优先）〔6〕 C04B35/56 以碳化物为基料的〔4〕 C04B35/565 以碳化硅为基料的〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科学技术大学	申请人地址	湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院自动化研究所变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科学技术大学	当前权利人	中国人民解放军国防科学技术大学
发明人	周新贵;张长瑞;吴宜灿;王军;黄群英;曹英斌;刘荣军;王洪磊;于海蛟;赵爽;罗征;黄泽兰
代理机构	湖南兆弘专利事务所	代理人	陈晖;杨斌

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiCf/SiC复合材料的方法，包括以下步骤：以SiC纤维为原料，采用三维编织技术制备SiC纤维编织件；以三氯甲基硅烷为沉积原料，对SiC纤维编织件进行第一次化学气相沉积，沉积的SiC涂层厚度为0.1～70μm；再以甲烷或丙烯气体为原料，通过第二次化学气相沉积对SiC纤维编织件沉积碳，得到SiCf/C中间体；最后以单质硅为原料，采用气相渗硅工艺对所述的SiCf/C中间体进行渗硅得到SiCf/SiC复合材料。本发明具有制备周期短、成本低等优点，能够制备得到高致密性、高力学性能和热导性能的SiCf/SiC复合材料。

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