功率半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN01123243.9
IPC分类号：--
申请日期：
2001-07-20
申请人：
三菱电机株式会社

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	功率半导体器件
申请号	CN01123243.9	申请日期	2001-07-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-06-19	公开/公告号	CN1354510
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	西堀弘;深田雅一;吉田贵信;吉松直树;高尾治雄;木本信义;上贝康己
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	王岳;叶恺东

摘要

在Cu合金形成的金属基板1上，装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3，而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上，通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5～5.5mm和0.5～1mm，将电路图形4的厚度设定为0.4～0.6mm，将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100～300μm。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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