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一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010574731.2
  • IPC分类号:H01L21/335;H01L29/778;H01L29/10;H01L29/06
  • 申请日期:
    2020-06-22
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法
申请号CN202010574731.2申请日期2020-06-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-10-02公开/公告号CN111739801A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/335IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人郑理;游晋豪;程新红;俞跃辉
代理机构上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙)代理人魏峯;黄志达
摘要
本发明涉及一种SOI基p‑GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法,包括:栅介质生长;栅金属生长;刻蚀以制作栅电极;生长第一层钝化层;源漏区欧姆接触;离子注入;生长第二层钝化层;打开源漏窗口;第一深槽刻蚀,第二深槽刻蚀。该方法中p‑GaN带来的器件可控性、稳定性优势和SOI带来的器件单片隔离优势有助于实现GaN单片集成半桥电路,大大减少了寄生电感和die的面积,推动了功率开关器件的集成化和小型化。

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