一种CdTe叠层太阳能电池及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201711229636.3
IPC分类号：H01L31/0296;H01L31/0725;H01L31/073;H01L31/18
申请日期：
2017-11-29
申请人：
成都中建材光电材料有限公司

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著录项信息

专利名称	一种CdTe叠层太阳能电池及其制作方法
申请号	CN201711229636.3	申请日期	2017-11-29
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-15	公开/公告号	CN108172643A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0296 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/0296 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅡBⅥ化合物，如CdS、ZnS、HgCdTe〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;2;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	成都中建材光电材料有限公司	申请人地址	四川省成都市双流区西航港街道空港二路558号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都中建材光电材料有限公司	当前权利人	成都中建材光电材料有限公司
发明人	彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;赵雷
代理机构	成都市集智汇华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李华;温黎娟

摘要

本发明公开了一种CdTe叠层太阳能电池及其制作方法，所述CdTe叠层太阳能电池的结构自下至上依次包括钠钙玻璃衬底层、MO薄膜背电极层、ZnTe背接触层、CdTe第一光吸收层、CdS第一窗口层、CdTe第二光吸收层、ZnS第二窗口层、SnO2高阻层、FTO前电极层和钠钙玻璃表面层；所述ZnTe背接触层中掺杂了Cu，CdTe第二光吸收层中掺杂了氧。本发明提供的CdTe叠层太阳能电池的电池转换效率高，制作方法采用低温沉积技术，成本低廉，工艺水平可靠，适合应用到大规模生产中去。

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