具有量子阱结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510076531.3
IPC分类号：H01L31/0749;H01L31/0352;H01L31/18
申请日期：
2015-02-13
申请人：
湖南共创光伏科技有限公司

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专利名称	具有量子阱结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制造方法
申请号	CN201510076531.3	申请日期	2015-02-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-08-05	公开/公告号	CN104821344A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0749 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/072 只是PN异质结型势垒的〔5，2012.01〕 H01L31/0749 包括AIBIIICVI化合物，例如CdS/CuInSe2 〔CIS〕的异质结太阳能电池〔2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;9;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	湖南共创光伏科技有限公司	申请人地址	湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区鸿园路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南共创光伏科技有限公司	当前权利人	湖南共创光伏科技有限公司
发明人	李廷凯;李晴风;钟真
代理机构	长沙正奇专利事务所有限责任公司	代理人	马强;刘佳芳

摘要

本发明公开了一种具有量子阱结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制造方法，该电池包括由CIGS吸收层和CdS缓冲层所形成的pn结，所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池的pn结构中的CIGS吸收层包括由多个周期所形成的量子阱结构。这种量子阱能够分离和捕捉游离电子，在太阳光的激发下，形成较大电流而提高薄膜太阳能电池的效率。该量子阱结构避免了晶粒的异常长大和孔洞和裂缝的形成，制备了致密的、晶粒尺寸大小均匀、能隙匹配的高质量的薄膜，同时，量子阱结构有利于对太阳光的充分吸收。因而，进一步提高了铜铟镓硒薄膜太阳能电池的效率。

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