获得快闪存储单元电容耦合率的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010164928.5
IPC分类号：G11C16/08
申请日期：
2010-04-29
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	获得快闪存储单元电容耦合率的方法
申请号	CN201010164928.5	申请日期	2010-04-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-20	公开/公告号	CN101866691A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/08 地址电路；译码器；字线控制电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;8查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	胡剑;顾靖;张博;孔蔚然;吴小利
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明的获得快闪存储单元电容耦合率的方法包括以下步骤：步骤1，获取浮动栅与字线之间的电容耦合率；步骤2，在两种不同条件下测量快闪存储单元的擦除电压；步骤3，利用公式CRFG-WL+(CRFG-SUB+CRFG-SL)+CRFG-CG＝1以及公式(1-CRFG-WL)(Verase1-Verase2)＝CRFG-SUB(VSUB1-VSUB2)+CRFG-SL(VSL1-VSL2)+CRFG-CG(VCG1-VCG2)计算出相应电容耦合率；步骤4，返回步骤2。本发明的获得快闪存储单元电容耦合率的方法简单方便。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供