一种场发射冷阴极结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010227464.1
IPC分类号：H01J1/304;H01J9/02
申请日期：
2020-03-27
申请人：
中山大学

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著录项信息

专利名称	一种场发射冷阴极结构及其制造方法
申请号	CN202010227464.1	申请日期	2020-03-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-16	公开/公告号	CN111293013A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J1/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J1/00 电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件（电子光学装置的零部件或离子阱的零部件入H01J 3/00） H01J1/02 主电极 H01J1/30 冷阴极 H01J1/304 场致发射阴极〔7〕	IPC分类号	H;0;1;J;1;/;3;0;4;;;H;0;1;J;9;/;0;2查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市海珠区新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	邓少芝;张维明;张宇
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	林丽明

摘要

本发明公开了一种场发射冷阴极结构，包括冷阴极、阴极衬底，将所述冷阴极的正面设置成长方形结构，且所述冷阴极垂直设置在阴极衬底上；所述的冷阴极的长度与宽度之比大于或等于100，将冷阴极作为发射体，其发射端面为线型一维结构；所述的冷阴极的高度与宽度之比大于或等于50，使得所述的冷阴极呈二维线型结构，所述的冷阴极的宽度小于10微米，所述的冷阴极由碳纳米管材料制成。本实施例所述的冷阴极结构可具备了获得大电流高电流密度的场发射能力，是实现场发射冷阴极器件应用的一种优选结构，可以满足特定器件的电子源性能需求。

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