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膜层沉积装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201821541698.8
  • IPC分类号:H01L21/67
  • 申请日期:
    2018-09-20
  • 申请人:
    长江存储科技有限责任公司
著录项信息
专利名称膜层沉积装置
申请号CN201821541698.8申请日期2018-09-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/67IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人长江存储科技有限责任公司申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长江存储科技有限责任公司当前权利人长江存储科技有限责任公司
发明人孟昭生;徐文浩;李展信;刘聪
代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)代理人董琳;陈丽丽
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括:调节部,包括朝向晶圆表面设置的分隔面以及位于所述分隔面的多个喷口,所述喷口用于将反应物传输至所述晶圆表面;控制部,用于分别控制每一所述喷口是否开启,实现所述反应物密度在所述晶圆表面的非均匀分布。本实用新型能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层,实现对晶圆弯曲度分布的平衡,且适用于各种形状的晶圆,有效改善了晶圆产品的质量。

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