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屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010255667.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
  • 申请日期:
    2010-08-11
  • 申请人:
    万国半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件
申请号CN201010255667.8申请日期2010-08-11
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-03-30公开/公告号CN101997033A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人万国半导体股份有限公司申请人地址
加拿大安大略省 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人万国半导体国际有限合伙公司当前权利人万国半导体国际有限合伙公司
发明人陈军;李一宽;常虹;李文军;安荷·叭剌;哈姆扎·依玛兹
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙)代理人张静洁;张妍
摘要
本发明涉及一种屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备,该方法包括制备多个沟道,包含使用第一个掩膜,在多个沟道中的至少若干个沟道里,形成第一个多晶硅区,形成一个多晶硅间隔介质区和一个终止保护区,包含使用第二个掩膜,在多个沟道中的至少若干个沟道里,形成第二个多晶硅区,形成到第一多晶硅区的第一个电接触,形成到第二多晶硅区的第二个电接触,包含使用第三个掩膜,沉积一个金属层,以及形成一个源极金属区和一个栅极金属区,包括使用第四个掩膜。

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