半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN95120287.1
IPC分类号：--
申请日期：
1995-10-20
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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权利要求

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN95120287.1	申请日期	1995-10-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1996-10-02	公开/公告号	CN1132414
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;竹村保彦
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	萧掬昌;马铁良

摘要

制造无沿台阶型薄膜晶体管(TFT)的方法，有效地减少寄生电容和使晶体管彼此隔离。把催化剂元素，例如是镍，加入对应TFT的源极/漏极区的区域中，或者形成催化剂元素的层或者催化剂元素的化合物的层。本征非晶硅膜形成在该区或者是催化剂元素或它的化合物的层上。该叠层结构高温退火，以向非晶硅扩散催化剂元素。在源极/漏极区的周围非晶硅膜选择性地结晶。结果，在其他的区产生了高电阻区。不产生沟道。该TFT可以彼此隔离。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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