相变冷却的IGBT模块

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202123215219.8
IPC分类号：H01L23/44;H01L23/427;H01L23/367
申请日期：
2021-12-20
申请人：
中国科学院电工研究所

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著录项信息

专利名称	相变冷却的IGBT模块
申请号	CN202123215219.8	申请日期	2021-12-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/44 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/44 完全浸入流体而不是空气中的完整器件（H01L 23/427优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;4;;;H;0;1;L;2;3;/;4;2;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7查看分类表>
申请人	中国科学院电工研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北二条6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电工研究所	当前权利人	中国科学院电工研究所
发明人	阮琳;温英科
代理机构	北京瀚仁知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘江帅;宋宝库

摘要

本实用新型涉及IGBT模块制造及应用的技术领域，具体提供一种相变冷却的IGBT模块。为解决现有IGBT模块不能安全并高效的得到冷却的问题，本实用新型的相变冷却的IGBT模块包括IGBT主体和密闭的外壳，IGBT主体为电力换流及控制装备的主体器件，在IGBT模块的外壳内部分填充相变换热工质，相变换热工质为绝缘的液体材质，并且相变换热工质在IGBT主体的工作温度下能够实现沸腾,外壳与相变换热工质之间还设置有气态换热空间，IGBT主体固定设置在外壳的内部，并且浸泡在相变换热工质内，并且IGBT主体通过线路穿过外壳后与外部连通。本实用新型的相变冷却的IGBT模块可以安全并高效地对IGBT模块进行冷却,另外,本实用新型的相变冷却的IGBT模块为模块化封装，可以灵活的进行装配。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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