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一种氮化镓基发光二极管芯片

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201320493057.0
  • IPC分类号:H01L33/38;H01L33/32
  • 申请日期:
    2013-08-14
  • 申请人:
    淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
著录项信息
专利名称一种氮化镓基发光二极管芯片
申请号CN201320493057.0申请日期2013-08-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/38IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人淮安澳洋顺昌光电技术有限公司申请人地址
江苏省淮安市清河新区景秀路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人淮安澳洋顺昌光电技术有限公司当前权利人淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
发明人张向飞;刘坚
代理机构淮安市科文知识产权事务所代理人谢观素
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管芯片,包括蓝宝石衬底层(1)、N型GaN层(2)、MQW发光层(3)、P型GaN层(4)、二氧化硅保护层(5)、P电极(6)以及N电极(7),P型GaN层(4)与P电极(6)之间设置有ITO透明导电薄膜(8),所述ITO透明导电薄膜(8)的厚度为0.12μm,本实用新型有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的ITO透明导电薄膜厚度设置不合理,从而导致发光二极管的发光效率差的问题。

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