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制造发光器件的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210200200.2
  • IPC分类号:H01L51/56
  • 申请日期:
    2003-03-07
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称制造发光器件的方法
申请号CN201210200200.2申请日期2003-03-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-10-03公开/公告号CN102709493A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/56IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县厚木市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人山崎舜平;村上雅一;濑尾哲史
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人汤春龙;朱海煜
摘要
虽然作为选择性地形成高分子形式有机化合物膜的一种方法的喷墨方法能够在一个步骤中涂敷分割用来发射3种(R、G、B)光的有机化合物,但成膜精度很差,难以控制此方法,因而达不到均匀性,且构造易于弥散。相反,根据本发明,用涂敷方法,包含高分子形式材料的膜被形成在连接到薄膜晶体管的下电极的整个表面上,然后用等离子体腐蚀方法对包含高分子形式材料的膜进行腐蚀,从而能够选择性地形成高分子形式材料层。而且,由用来进行白色发光或单色发光的材料构成了有机化合物层,并与颜色改变层或成色层组合,从而实现了全色形成。

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