可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202023276733.8
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/00
申请日期：
2020-12-29
申请人：
湖南三安半导体有限责任公司

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专利名称	可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置
申请号	CN202023276733.8	申请日期	2020-12-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	湖南三安半导体有限责任公司	申请人地址	湖南省长沙市高新开发区长沙岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南三安半导体有限责任公司	当前权利人	湖南三安半导体有限责任公司
发明人	王旻峰;张洁;汪良;付芬;邓树军
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	严诚

摘要

本实用新型公开了一种可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置，涉及碳化硅单晶生长技术领域。该可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置包括坩埚、籽晶及多个冷却管。坩埚用于容置原料，籽晶呈圆柱状，且位于坩埚内，并靠近坩埚的顶部设置。多个冷却管用于供冷却介质通过，且均为环状管，并同心设置。多个冷却管均与籽晶的顶端平行，且与籽晶顶端同心，并靠近籽晶顶端设置。该可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置能够径向调整籽晶的温度梯度，且调节简单，调节效果较好。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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