p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和含有该薄膜的氧化锡同质pn结及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210029709.5
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/06
申请日期：
2012-02-10
申请人：
武汉理工大学

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专利名称	p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和含有该薄膜的氧化锡同质pn结及其制备方法
申请号	CN201210029709.5	申请日期	2012-02-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-18	公开/公告号	CN102586748A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	赵修建;倪佳苗;耿硕麒;刘启明
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	崔友明

摘要

本发明涉及p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和对应氧化锡同质pn结及其制备，p型Sb掺杂SnO2薄膜的制备是采用Sb掺杂SnO2陶瓷靶材，采用磁控溅射法在单晶Si和石英玻璃上制备；二氧化锡同质pn结是在p型Sb掺杂SnO2薄膜上溅射沉积n型Sb掺杂SnO2薄膜获得的。p型导电Sb掺杂SnO2薄膜导电性能稳定，空穴浓度、空穴迁移率和电导率高，具有空穴浓度高达1020cm-3数量级、电导率高达60S·cm-1，同时空穴迁移率可高达2~30cm2V-1s-1，在可见光具有高透明性，且该制备方法的工艺简单，重复性好，易于工业化，所制备同质氧化锡基的透明pn结，具有宽禁带半导体pn结的伏安曲线特性。

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