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多区加热装置、下电极组件及等离子处理装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202022591042.0
  • IPC分类号:H01J37/32;H01L21/67
  • 申请日期:
    2020-11-11
  • 申请人:
    中微半导体设备(上海)股份有限公司
著录项信息
专利名称多区加热装置、下电极组件及等离子处理装置
申请号CN202022591042.0申请日期2020-11-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/32IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人中微半导体设备(上海)股份有限公司申请人地址
上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司当前权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司
发明人谢林;杜杰
代理机构上海元好知识产权代理有限公司代理人徐雯琼;张静洁
摘要
一种多区加热装置、下电极组件、及等离子处理装置,其中,所述多区加热装置包括:多个加热片;多个开关,每个开关连接一加热片并形成一加热单元;多个所述加热单元的两端分别连接一接地总线和一供电总线;多个控制信号线,每个控制信号线与一开关相连,用于输送所述开关工作占空比的控制信号,所述开关分别根据所述控制信号独立控制与之连接的所述加热片的工作时间。所述多区加热装置能够集成到等离子处理装置中的静电夹盘与基座之间,且能够减少外接导电线以减少滤波器的需求。

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