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直流辉光等离子体化学气相沉积方法制备碳纳米管的工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410011048.9
  • IPC分类号:C23C16/26;C23C16/503
  • 申请日期:
    2004-08-18
  • 申请人:
    吉林大学
著录项信息
专利名称直流辉光等离子体化学气相沉积方法制备碳纳米管的工艺
申请号CN200410011048.9申请日期2004-08-18
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-03-23公开/公告号CN1598045
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/26IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;2;6;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;3查看分类表>
申请人吉林大学申请人地址
吉林省长春市前卫路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉林大学当前权利人吉林大学
发明人姜志刚;金曾孙
代理机构长春吉大专利代理有限责任公司代理人王恩远
摘要
本发明的直流辉光等离子体化学气相沉积方法制备碳纳米管的工艺属于制备碳纳米管的工艺方法。以表面有催化剂层的硅片或石英片作基片,以甲烷和氢气的混合气体为原料,采用化学气相沉积的方法生长碳纳米管。首先使真空室内的真空度约2Pa、电极间距离4~5mm通入原料气体,当压强达到200~500Pa时维持放电电流约2A,当气体压强达到5~10KPa时调节放电电流到5~10A,电极间距离20~40mm,沉积5~600秒钟。由于直流辉光放电产生的等离子体稳定,对气体的离化率更高,基片表面状态均匀,可大面积均匀制备纯度高、管径均匀碳纳米管。使基片表面形成分立的纳米级催化剂颗粒可沉积有序直立排列的碳纳米管。

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