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掩膜版缺陷的判断方法及判断系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010022874.9
  • IPC分类号:G03F1/00;H01L21/00;G01N21/88
  • 申请日期:
    2010-01-15
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称掩膜版缺陷的判断方法及判断系统
申请号CN201010022874.9申请日期2010-01-15
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-07-20公开/公告号CN102129164A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F1/00IPC分类号G;0;3;F;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;G;0;1;N;2;1;/;8;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人林光启;康栋;王永刚;张宇磊
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
一种掩膜版缺陷的判断方法,包括:提供具有图形的掩膜版及不同晶片,将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上;获取所述晶片的图形,判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置;提供位置阈值,对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较,若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值,则判断所述这些缺陷位于同一区域内;提供预定值,若同一区域内的缺陷所在晶片数量超过所述预定值,则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。本发明还提供一种掩膜版缺陷的判断系统,实现在线对掩膜版的缺陷进行判断的功能,及时判断出缺陷掩膜版,精确判断效果,提高判断效率。

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