低功率损耗的氧化物磁体材料和生产该材料的工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN92105080.1
IPC分类号：--
申请日期：
1992-06-18
申请人：
新日本制铁株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	低功率损耗的氧化物磁体材料和生产该材料的工艺
申请号	CN92105080.1	申请日期	1992-06-18
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	1993-04-14	公开/公告号	CN1071024
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	新日本制铁株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	新日本制铁株式会社	当前权利人	新日本制铁株式会社
发明人	高桥史明;大桥渡;渡边宏二
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利代理部	代理人	徐汝巽

摘要

一种氧化物磁体材料，其中的过氧量r由下述分子式确定，即：Zna2+Mnb3+Mnc2+Fed2+Fee3+VCfO4+r2-式中，a+b+c+d+e+f＝3+3/4r，r＝3×10-3至10×10-3，Vcf是空位。该材料的组成为50至56％(按摩尔)的Fe2O3，25至40％(按摩尔)的Mn0和5至20％(按摩尔)的ZnO，最好从Ti、Li、Mg、Co、Ge、Sn、Si、Ca、V和Al的氧化物中选出至少一种氧化物加入到上述的混合物中，加入量在2％(按摩尔)之内。上述混合物在烧结炉中处理，根据温度依照公式lgPo2＝A(1/T)+α改变氧气分压，然后将温度降至室温。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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