一种含Ho的多主相钕铁硼永磁铁及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410461675.6
IPC分类号：H01F1/057;H01F41/02;B22F9/04
申请日期：
2014-09-12
申请人：
沈阳中北通磁科技股份有限公司

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专利名称	一种含Ho的多主相钕铁硼永磁铁及制造方法
申请号	CN201410461675.6	申请日期	2014-09-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-31	公开/公告号	CN104252938A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/057 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/01 无机材料的（H01F 1/44优先）〔6〕 H01F1/03 按其矫顽力区分的〔6〕 H01F1/032 硬磁材料的〔6〕 H01F1/04 金属或合金〔6〕 H01F1/047 按其成分区分的合金〔5，6〕 H01F1/053 含稀土金属的〔5，6〕 H01F1/055 和磁性过渡金属的，如SmCo5〔6〕 H01F1/057 和Ⅲa族元素，如Nd2Fe14B〔6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;0;5;7;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;B;2;2;F;9;/;0;4查看分类表>
申请人	沈阳中北通磁科技股份有限公司	申请人地址	辽宁省沈阳市浑南新区汇泉东路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	沈阳中北通磁科技股份有限公司	当前权利人	沈阳中北通磁科技股份有限公司
发明人	孙宝玉;洪光伟;王健;杨永泽;段永利
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种含Ho的多主相钕铁硼永磁铁及制造方法，永磁铁含有多种稀土元素含量不同的主相，主相间存在氧化物相，氧化物相中的氧含量高于主相的氧含量；多种主相中存在Ho含量高的主相，多种主相组成的晶粒与晶粒之间由晶界相隔离，平均晶粒尺寸6‑14μm；制造方法包含熔炼第一合金、熔炼第二合金、熔炼第三合金、氢破碎、合金混合、气流磨制粉、磁场成型、真空烧结和时效等工序；熔炼第一合金工序包含制备含有La、Ce、Pr、Nd元素的第一合金的过程；熔炼第二合金工序包含制备含有Pr、Nd、Dy、Ho元素的第二合金的过程；熔炼第三合金工序包含制备含有Pr、Nd、Dy、Gd元素的第三合金的过程。

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