一种占空比调节器

发明专利有效专利

申请号：
CN202210849633.4
IPC分类号：H03K3/017;H03L7/08
申请日期：
2022-07-19
申请人：
东芯半导体股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种占空比调节器
申请号	CN202210849633.4	申请日期	2022-07-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2022-09-02	公开/公告号	CN115001454A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K3/017 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K3/00 用于产生电脉冲的电路；单稳态，双稳态或多稳态电路（H03K 4/00优先；用于计算机的数字函数发生器入G06F 1/02）〔5〕 H03K3/01 零部件〔3〕 H03K3/017 脉冲的宽度或占空比的调节（脉冲宽度调制入H03K 7/08）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;3;/;0;1;7;;;H;0;3;L;7;/;0;8查看分类表>
申请人	东芯半导体股份有限公司	申请人地址	上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东芯半导体股份有限公司	当前权利人	东芯半导体股份有限公司
发明人	赖荣钦
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	徐倩;张鑫

摘要

本发明涉及一种占空比调节器，包括第一占空比调节DCA模块，所述第一DCA模块包括M个并联的调节单元，每个调节单元包括或非门和PMOS晶体管，每个调节单元被配置成用于输入到所述或非门的从低电平转换到高电平的时序延迟使所述PMOS在信号的上升沿被打开，从而所述PMOS将所述信号的上升沿推迟，以减小所述信号的占空比；并且输入到所述或非门的从高电平转换到低电平的时序延迟使所述PMOS在信号的下降沿不被打开，从而所述PMOS不会改变所述信号的下降沿。

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