Al2O3包覆δ-MnO2纳米片阵列复合材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810681360.0
IPC分类号：H01M4/36;H01M4/50;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/36;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2018-06-27
申请人：
南京理工大学

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专利名称	Al2O3包覆δ-MnO2纳米片阵列复合材料及其制备方法
申请号	CN201810681360.0	申请日期	2018-06-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-03	公开/公告号	CN110649231A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;5;0;;;H;0;1;M;4;/;4;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;3;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	南京理工大学	申请人地址	江苏省南京市孝陵卫200号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京理工大学	当前权利人	南京理工大学
发明人	夏晖;林宝伟;房灵哲;徐璟
代理机构	南京理工大学专利中心	代理人	刘海霞

摘要

本发明公开了一种Al2O3包覆δ‑MnO2纳米片阵列复合材料及其制备方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应制得δ‑MnO2纳米片阵列，然后在80℃～300℃下，以三甲基铝和水为前驱体通过原子层沉积在δ‑MnO2纳米片上沉积AI2O3薄膜，得到Al2O3包覆δ‑MnO2纳米片阵列复合材料。本发明在不破坏材料原有结构的基础上，在材料表面沉积几个纳米厚度的保护层，提高离子传输能力的同时抑制了水解，使得材料的电位窗口得以扩宽，并因此提高了可逆容量，倍率性能以及循环稳定性。

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