一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法发明专利
申请号：CN202010241224.7
LOC分类号:H01J9/02
IPC结构图谱：
- C化学；冶金
- C0化学
- C02水、废水、污水或污泥的处理
- C02F水、废水、污水或污泥的处理（通过在物质中产生化学变化使有害的化学物质无害或降低危害的方法入A62D 3/00；分离、沉淀箱或过滤设备入B01D；有关处理水、废水或污水生产装置的水运容器的特殊设备，例如用于制备淡水入B63J；为防止水的腐蚀用的添加物质入C23F；放射性废液的处理入G21F 9/04）〔3〕
- C02F1/00水、废水或污水的处理（C02F 3/00至C02F 9/00优先） 〔3〕
- C02F1/66中和法；pH的调节（脱气入C02F 1/20；用离子交换入C02F 1/42；悬浮杂质的絮凝或沉淀入C02F 1/52；溶解化合物的除去入C02F 1/58） 〔3〕
