一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010241224.7
IPC分类号：H01J9/02;H01J1/304;B82Y40/00
申请日期：
2020-03-31
申请人：
中山大学

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著录项信息

专利名称	一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法
申请号	CN202010241224.7	申请日期	2020-03-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-09	公开/公告号	CN111261473A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J9/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J9/00 专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法（；从放电管或灯回收材料〔1，7〕 H01J9/02 电极或电极系统的制造	IPC分类号	H;0;1;J;9;/;0;2;;;H;0;1;J;1;/;3;0;4;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市海珠区新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	邓少芝;赵鹏;张宇
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	林丽明

摘要

本发明公开了一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法，该制作方法利用纳米结构体局部自加热效应在微纳导电基体上熔接生长在导电衬底上的单根一维纳米结构，以形成欧姆接触接合；利用金属探针以电熔断方式截取单根一维纳米结构，使得单根一维纳米结构与导电衬底脱离，形成基于微纳导电基体的单根一维纳米结构冷阴极。本发明所述的制作方法简单且具有通用性，可基于不同类型的一维纳米材料在不同材质、不同形状的微纳导电基体上制作单根一维纳米结构冷阴极。这种单根一维纳米结构冷阴极应用于高亮度、相干电子源，在电子束光刻、电子显微镜、科学研究装置等中有着重要应用。

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