有机膜涂覆之图形化的工艺方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910022457.1
IPC分类号：H01L51/56;B05D1/32
申请日期：
2009-05-12
申请人：
西安宝莱特光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	有机膜涂覆之图形化的工艺方法
申请号	CN200910022457.1	申请日期	2009-05-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-11-11	公开/公告号	CN101577316
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;B;0;5;D;1;/;3;2查看分类表>
申请人	西安宝莱特光电科技有限公司	申请人地址	陕西省西安市未央大学城陕西科技大学实验楼2A一楼西段变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安宝莱特光电科技有限公司	当前权利人	西安宝莱特光电科技有限公司
发明人	赵炜;马介渊;付永山;吴静;李翌辉
代理机构	西安新思维专利商标事务所有限公司	代理人	李罡

摘要

本发明涉及有机膜涂覆之图形化的工艺方法。现有技术中，聚合物PLED有机膜的制备采用转涂涂覆或打印的方法；但除去有机膜涂层的方法，目前多采用激光烧蚀；通过特定波长的激光，将有机膜涂层烧蚀蒸发，除去多余的有机膜，以实现有机膜涂层的图形化；但是如果激光能量控制不当，有可能对膜底材料造成烧蚀损伤。本发明是以贴膜方式保护无需涂覆有机膜的区域，以实现有机膜涂覆之图形化。其通过对无需涂膜区域的贴膜保护，有效克服现有涂膜方法的无选择性和全覆盖的缺点，避免使用激光烧蚀方法清除多余有机膜可能造成的对膜底材料的烧蚀损伤；另外，贴膜保护区域在贴膜被剥离之后基本无污染，对后续工艺没有影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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