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SiC半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202080029447.5
IPC分类号：H01L29/43;H01L21/28;H01L21/60;H01L29/161;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872
申请日期：
2020-04-14
申请人：
罗姆股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	SiC半导体装置
申请号	CN202080029447.5	申请日期	2020-04-14
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-30	公开/公告号	CN113728441A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/43 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/43 以形成材料为特征的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;3;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;9;/;1;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人	罗姆股份有限公司	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗姆股份有限公司	当前权利人	罗姆股份有限公司
发明人	永田敏雄
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	陈彦;张默

摘要

本发明提供一种SiC半导体装置，其包含：具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面的SiC芯片，包含第一Al层且形成于前述第一主面上的第一主面电极，形成于前述第一主面电极上且与导线连接的焊盘电极，以及包含第二Al层且形成于前述第二主面上的第二主面电极。

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