具有晶粒埋入式以及双面覆盖重增层的基板结构及其方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910177538.9
IPC分类号：H01L23/13;H01L23/16;H01L23/48;H01L21/50
申请日期：
2009-09-15
申请人：
杨文焜

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专利名称	具有晶粒埋入式以及双面覆盖重增层的基板结构及其方法
申请号	CN200910177538.9	申请日期	2009-09-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-27	公开/公告号	CN102034768A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/13 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/13 按形状特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;3;;;H;0;1;L;2;3;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	杨文焜	申请人地址	英属维尔京群岛托投拉岛罗德镇威克汉斯路邮政信箱662号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	金龙国际公司	当前权利人	金龙国际公司
发明人	杨文焜
代理机构	北京挺立专利事务所（普通合伙）	代理人	叶树明

摘要

本发明揭露一种具有晶粒埋入式以及双面覆盖重增层的基板结构及其方法，其包含一具有一金属垫的第一基板，一位于上述第一基板上表面的第一导线电路和一位于上述第一基板底表面的第二导线电路。一晶粒被配置于上述金属垫上。一第二基板具有一晶粒开口来容纳此此晶粒；一第三导线电路位于上述第二基板的上表面以及一第四导线电路位于上述第二基板的底表面。一黏着层填入于上述晶粒背面与上述第一基板上表面之间的间隙；以及上述晶粒侧壁与上述晶粒置入穿孔侧壁之间的间隙；以及上述第二基板的背侧。

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