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TFT阵列衬底、其制造方法以及显示装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710110268.0
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84;G02F1/1362
  • 申请日期:
    2007-06-08
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称TFT阵列衬底、其制造方法以及显示装置
申请号CN200710110268.0申请日期2007-06-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-12-12公开/公告号CN101087004
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人柴田英次
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人王岳;王忠忠
摘要
提供一种具有优良特性的TFT阵列衬底、其制造方法以及使用该衬底的显示装置。本发明的一个实施方式的TFT阵列衬底是具有配置在源极区域(41)和漏极区域(42)之间的沟道区域(43)的TFT阵列衬底,包括形成在衬底(1)上的栅电极(2)、以履盖栅电极(2)的方式形成的栅极绝缘膜(3)、隔着栅极绝缘膜(3)设置在栅电极(2)上的半导体层(30)、具有设置在半导体层(30)的源极区域(41)上的金属膜的源电极(6)、具有设置在半导体层(30)的漏极区域(42)上的金属膜的漏电极(7)、配置在源电极(6)与源极区域(41)之间以及漏电极(7)和漏极区域(42)之间的透明导电膜(10),半导体层(30)的从透明导电膜(10)露出的部分的剖面是正锥形形状。

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