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金属‑氧化物‑半导体MOS器件和其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310311598.1
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336
  • 申请日期:
    2013-07-23
  • 申请人:
    北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
著录项信息
专利名称金属‑氧化物‑半导体MOS器件和其制造方法
申请号CN201310311598.1申请日期2013-07-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-02-11公开/公告号CN104347703A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司申请人地址
北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司当前权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人宋秀海
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人刘芳
摘要
本发明提供一种金属‑氧化物‑半导体MOS器件和其制造方法,器件包括:衬底,所述衬底上设置有呈柱体的源极和漏极;所述衬底上,所述源极和所述漏极的外部围设有截面呈环形的柱体,且所述截面呈环形的柱体与所述源极和所述漏极不接触;所述截面呈环形的柱体的导电类型与所述源极和所述漏极的导电性能相反;所述衬底表面,所述源极和所述漏极的中间区域设置有第一绝缘介质层;所述第一绝缘介质层表面上设置有栅极导电层。本发明实施例有效解决了现有技术中MOS器件的Guardband隔离效果差的技术问题。

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