侧链含芘类衍生物的聚氧硅烷荧光高分子材料及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710092983.6
IPC分类号：C08G77/42;C09K11/06
申请日期：
2007-11-15
申请人：
中国人民解放军后勤工程学院

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专利名称	侧链含芘类衍生物的聚氧硅烷荧光高分子材料及制备方法
申请号	CN200710092983.6	申请日期	2007-11-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-05-07	公开/公告号	CN101173046
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08G77/42 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物（发酵或使用酶的方法合成目标化合物或组合物或从外消旋混合物中分离旋光异构体入C12P）〔2〕 C08G77/00 在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物〔2〕 C08G77/42 含有聚硅氧烷链区的嵌段或接枝聚合物（将脂肪族不饱和单体聚合到聚硅氧烷上入C08F 283/12）〔2〕	IPC分类号	C;0;8;G;7;7;/;4;2;;;C;0;9;K;1;1;/;0;6查看分类表>
申请人	中国人民解放军后勤工程学院	申请人地址	重庆市渝中区长江二路174号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军后勤工程学院	当前权利人	中国人民解放军后勤工程学院
发明人	晏华;朱霞;王雪梅;余荣升
代理机构	重庆华科专利事务所	代理人	康海燕

摘要

本发明涉及一种含芘类衍生物的聚氧硅烷荧光高分子材料和制备方法，将具有氧猝灭特性的芘类衍生物，通过氢化硅烷化反应，接枝到聚氧硅烷上，构成具有氧猝灭特性的本征型聚氧硅烷荧光高分子材料。其结构通式如下所示，其中Y为键桥，可以为酯基、偶氮基、酰胺基、醚基等基团，n和m为柔性间隔的数目，n=2～10，m=3、4。与现有技术相比，本发明从根本上解决作为压敏涂料中分子探针的芘类荧光物质的热稳定性、储存稳定性和荧光物质分布不均匀等问题。

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