一种MEMS压力传感器及其的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110710324.4
IPC分类号：G01L1/18;B81B3/00
申请日期：
2021-06-25
申请人：
苏州跃芯微传感技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MEMS压力传感器及其的制作方法
申请号	CN202110710324.4	申请日期	2021-06-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113252216A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L1/18 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L1/00 力或应力的一般计量（测量由于冲击产生的力入G01L 5/00）〔4〕 G01L1/18 利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质	IPC分类号	G;0;1;L;1;/;1;8;;;B;8;1;B;3;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州跃芯微传感技术有限公司	申请人地址	江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区2号楼516室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州跃芯微传感技术有限公司	当前权利人	苏州跃芯微传感技术有限公司
发明人	马清杰;李静
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	初春

摘要

本发明公开了一种MEMS压力传感器及其的制作方法，MEMS压力传感器包括沿第一方向依次层叠设置的支撑层、绝缘层、N型器件层和P型浓掺杂层；其中，第一方向为支撑层垂直指向P型浓掺杂层的方向；排列在第一平面上的四个条状凸起，沿第一方向，每个条状凸起均包括P型浓掺杂层，第一平面为垂直于第一方向的平面；多个电极，各电极用于各条状凸起接入电信号和输出电信号；各电极和各条状凸起构成惠斯通电桥；支撑层设置有第一腔体，第一腔体与惠斯通电桥之间设置有应变薄膜层。该结构以实现提高压力传感器的灵敏度和稳定性，并减小压力传感器的尺寸。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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